و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور

Authors

Abstract:

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا به عنوان جایگزین مناسب برای گیت دی الکتریکترانزیستورهای اثر میدانی آلی پیشنهاد شده اند خواص نانوساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت هیبریدی پلی وینیلکلرید و اکسید نیکل را با مقادیر مختلف از ماده ی آلی، دردمای ] 1 [ . اخیرا_ غیر آلی، شامل اکسید های فلزی،] - 2 4 .[ در این مقاله08 درجه سانتی گراد، به روش سل ژل، سنتز نمودیم. در این –آزمایش ها، نسبت درصد وزنی ماده ی آلی به اکسید نیکل 10588 و 10258و 10125 بوده است )در تمام مقاله غلظت ها به ترتیب با علامت های I ،II ویژگی های نانوساختاری نمونه ها را با تکنیک های پراش اشعه یایکس نیروی اتمیهایی از نانوپودرهیبریدی با استفاده از دستگاه ، III نشان داده شده اند.() XRD (، طیف سنجی مادون قرمزتبدیل فوریه) FTIR ( و میکروسکوپ) AFM ( بررسی نمودیم. برای توصیف خواص الکتریکی، قرصNiO/PVC تهیه و به محاسبه ی ظرفیت خازنGPS 132 A پرداخته و ثا بت دی الکتریک آن ها2را محاسبه کردیم. با استفاده از تحلیل داده های تجربی و را بطهپل فرانکل که میزان جریان نشتی را بر حسب ثابت دی الکتریک تعیین -می کند، دریافتیم که نمونه دمای بالاتر، چینش سطحی ذرات بهتر و همچنین زبری سطح کمتر و در نتیجهدارای جریان نشتی کمتر می باشد. از این رو می تواند به عنوان یکماده ی دی الکتریک مناسب برای ادوات آتی ترانزیستور اثر میدانیآلی NiO/PVC با درصد وزنی 10258 که در08 درجه سانتی گراد سنتز شده است دارای ثابت دی الکتریک(OFET) معرفی گردد.

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی nio/pvcبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

full text

رشد و مطالعه گیت دی الکتریک نانو ترانزیستور با آمونیاک

از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام ا...

15 صفحه اول

بررسی خواص اکسیدهای عناصر کمیاب خاکی به عنوان گیت دی الکتریک

  نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورک­های به دست آمده با تکنیک­های پراش پرتو ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازه­گیری ثابت دی­...

full text

بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)

نمونه­های پودری نانوکامپوزیت دورگه­ای al2o3/pvp به روش سل-ژل در دمای 80 درجه­ی سانتی­گراد سنتز شده­­­­­اند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای بررسی ویژگی­های نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بیناب­سنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونه­ها با استفاده از روش gps 132 a مح...

full text

نانو کامپوزیت هیبریدی nio/pvc و nio/pva؛ گیت دی الکتریک ترانزیستور های اثر میدانی آلی (ofets )

در کار حاضر، نانو هیبریدهای کامپوزیتی پلی وینیل الکل/ اکسید نیکل و پلی وینیل کلرید/ اکسید نیکل با مقادیر متفاوت پی وی سی(pvc) و پی وی ای (pva)و در دماهای مختلف به روش سل- ژل سنتز شده اند. فازهای بلوری، بلورینگی و ویژیگی های الکتریکی نمونه ها با استفاده از تکنیک های میکروسکوپی روبشی الکترونی (sem)، نیروی اتمی (afm)، طیف نمایی فوریه مادون قرمز (ftir)، توزیع انرژی پرتو ایکس (edx) و الگوی پرتو ایکس...

بررسی ویژگی های اپتیکی نانوذرات فلزی بیضوی شکل در مقیاس و محیط های دی الکتریک متفاوت

با گسترش روزافزون دانش و فناوری در ابعاد نانومتری دانش پلاسمونیک مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. نانوذرات فلزی بیضوی شکل طلا و نقره به دلیل ساختار بیضوی شکل با تقارن خاص، خواص اپتیکی منحصربفردی را می‌توانند از خود نشان دهند و بنابراین گزینه‌های بسیار مناسبی جهت استفاده در نسل جدید حسگرهای نوری هستند. بنابراین در این کار، خواص اپتیکی نانوذرات بیضوی شکل فلزی طلا و نقره در محیط‌های دی الکتریک ...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


Journal title

volume 2  issue 2

pages  65- 75

publication date 2012-11-21

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023